会议伊始，中国科学院院士、清华大学教授、著名力学家、自超滑技术开拓者、创生教育科技工程开创者郑泉水院士致开幕辞。他指出，当前我们正站在数智时代与物理世界深度融合的交叉路口，而自超滑技术凭借其“近零摩擦、零磨损、超高导电/导热”的颠覆性特性，有望成为连接AI决策与物理执行的关键“握手点”，为解决人类上千年的摩擦磨损问题、开启全新产业赛道提供底层支撑。

超滑所副所长、清力技术CTO向小健系统汇报了自超滑事业在“十四五”规划期间的筹建成果。团队在最近两年，不仅在应用基础研究（理清并实验验证自超滑界面零静摩擦、零摩擦系数的底层原理以及零磨损边界条件）上取得突破，更成功孵化出自超滑微电机、射频开关、微动发电机三款工程产品样机。2024年，深圳超滑技术实验室被认定为深圳市重点实验室之一，也是全球第一个自超滑技术研发实验平台，并成功制备出全球最大尺度的毫米级自超滑单晶石墨材料。2025年，产业化公司清力技术完成亿元级Pre-A轮融资，实验室入选工信部首批全国重点培育中试平台名单。

面向“十五五”期间的自超滑事业五年规划，超滑所/清力技术明确了“1+4”产品策略，即以自超滑共性技术为核心，持续推进“材料+微特电机+射频开关+微动发电机”产品矩阵快速发展，并提出“自超滑作为源头创新根技术，希望到2035年，努力成为连接数智与物理世界的新基石，致力孵化出十余家顶尖品牌企业，为更多未来产业与国家新兴战略产业赋能”的愿景目标。

会议期间，华为技术有限公司技术规划部高级专家李晓东先生受邀作《变道超车：自超滑铁电存储》主题报告。他在演讲中深刻指出：“短期缺芯片、长期缺能源，永远缺存储。”目前，AI驱动的海量温数据存储几乎完全依赖美国企业主导的传统机械硬盘（HDD），使我国面临严峻的“卡脖子”风险与技术封锁。基于自超滑界面“恒定接触、零磨损”特性的铁电薄膜存储技术，有望突破既有技术路径与专利壁垒，实现低成本、大容量、可随机访问的自主温存储方案，为我国在关键数据基础设施领域实现安全可控提供了一条具有战略意义的颠覆性路径。

由清力技术VP&CMO周来平主持，郑泉水院士、杨军院士、朱健教授（线上）、丁峰教授、李思远（力合清瞳基金）5位嘉宾探讨了如何推动微特电机、射频开关等主攻方向从1到100的产业化突破。共识在于：必须坚持开放、共创、分享，通过“自超滑技术+具体场景”的深度结合，并借鉴半导体行业经验，利用AI加速工艺优化与迭代。

朱健教授剖析了自超滑射频开关在5G/6G基站及卫星通讯领域的规模化应用前景，认为其近零摩擦特性将在设备寿命、信号线性度及功率承载能力等方面带来突破性变革。

丁峰教授着重强调了材料作为产业化根本的重要性，提出在持续优化单晶石墨制备工艺的同时，必须前瞻布局下一代超滑材料体系的研发。

杨军院士提出可参照开源芯片的协作机制，打造开放式工艺平台以推动技术快速演进。

投资人代表李思远则建议，精准锚定细分应用场景，深化与产业伙伴的协同开发，通过敏捷迭代抢占市场先机。

由前海方舟高昂主持，郑泉水院士、任天令教授（线上）、徐志平教授、陈巍（千芯科技董事长）、黄磊（涌铧投资）5位嘉宾研判了未来五至十年的战略方向。

专家们认为，除现有产品外，应重点关注“存算一体芯片”、“智能信息器件接口”、“高效微能源收集”等能发挥自超滑极致性能的领域，并提前布局标准与核心IP，争夺未来产业生态主导权。

郑泉水院士着重展望了自超滑技术在数字存储（特别是温存储领域）、存算一体芯片及微能源收集三大方向上的颠覆性潜力，认为这是堪比电动汽车产业变革的巨大机遇。

陈巍博士结合其芯片设计和量产经验指出，自超滑技术在物理层面实现了类超导的弱接触电子输运，为超越传统硅基芯片的算力瓶颈提供了全新路径。

徐志平教授从理论角度阐释，自超滑界面具备全原子接触和可控弱耦合的特点，为设计新一代功能界面与器件打开了广阔空间。

会议期间还举行了“开放共赢”环节。首先，深圳超滑技术重点实验室对第一期开放课题的进展与成果进行了回顾，并向9位在自超滑技术早期探索中做出突出贡献的学者颁发了资助证书，以表彰他们的先锋精神与扎实工作。深圳大学范雪副教授作为获奖代表发言，她衷心感谢实验室给予的信任与支持，并表示将继续在这一充满潜力的领域深耕不辍。

大会尾声，郑泉水院士在总结中深情表示，自超滑作为源头创新根技术，正处于从实验室迈向产业化的关键阶段，要实现这一宏伟蓝图，我们必须构建“政产学研金”紧密协同的命运共同体。

通过创新合作机制，在保护知识产权的同时坚持开放共享，汇聚各方力量，共同将“零磨损改变世界，造福人类。”这一愿景，转化为驱动产业变道超车、造福国家的强大引擎。

自超滑技术的未来生态繁荣，始于今天所有勇敢的播种者与同行者。他呼吁更多有志于开辟新赛道的科学家、企业家、投资人加入，共同将这项属于中国的源头创新根技术，转化为驱动我国产业变道超车、造福人类的强大引擎。